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IXTH2R4N120P

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXTH2R4N120P
Descripción:	MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Polar™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	7.5Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.)	125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247 (IXTH)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	37nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1207pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V