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IXTH1N200P3HV

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTH1N200P3HV
Descripción: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3 Variant
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247HV
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 2000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 646pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 30 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.02 $5.90 $5.78
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