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IXTH1N170DHV

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTH1N170DHV
Descripción: MOSFET N-CH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Depletion Mode
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3 Variant
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 16Ohm @ 500mA, 0V
Disipación de energía (máx.) 290W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247HV
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 47nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3090pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1A (Tj)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 0V

En stock 96 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$9.40 $9.21 $9.03
Mínimo: 1

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