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IXTA80N10T7

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTA80N10T7
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMV™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 14mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 230W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263-7 (IXTA..7)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 60nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3040pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 60 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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