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IXTA3N100D2HV

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXTA3N100D2HV
Descripción:	MOSFET N-CH
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Depletion Mode
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id	4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	6Ohm @ 1.5A, 0V
Disipación de energía (máx.)	125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-263HV
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	37.5nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1020pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	3A (Tj)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	0V