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IXFX200N10P

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFX200N10P
Descripción: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, PolarP2™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 8mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 830W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PLUS247™-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 235nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$9.62 $9.43 $9.24
Mínimo: 1

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