IXFT18N100Q3
Fabricantes: | IXYS |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXFT18N100Q3 |
Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vgs(th) (Max) - Id | 6.5V @ 4mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 660mOhm @ 9A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 830W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-268 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 90nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1000V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4890pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 18A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 95 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$13.25 | $12.99 | $12.73 |
Mínimo: 1