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IXFN50N120SIC

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFN50N120SIC
Descripción: MOSFET N-CH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) +20V, -5V
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 2mA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
Disipación de energía (máx.) -
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-227B
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 100nC @ 20V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1900pF @ 1000V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 20V

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$52.99 $51.93 $50.89
Mínimo: 1

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