IXFN50N120SIC
Fabricantes: | IXYS |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXFN50N120SIC |
Descripción: | MOSFET N-CH |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | +20V, -5V |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 2mA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
Disipación de energía (máx.) | - |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-227B |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 100nC @ 20V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1900pF @ 1000V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 47A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
En stock 55 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$52.99 | $51.93 | $50.89 |
Mínimo: 1