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IXFN170N10

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFN170N10
Descripción: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 8mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10mOhm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 600W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-227B
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 515nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10300pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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