La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IXFH9N80

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFH9N80
Descripción: MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 2.5mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 900mOhm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 180W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247AD (IXFH)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 130nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.33 $8.16 $8.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

TK31N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
$8.04
IXFH52N50P2
IXYS
$7.81
IXTH50P10
IXYS
$7.5
STW21N90K5
STMicroelectronics
$7.3
IXTH48N65X2
IXYS
$6.76