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IXFB50N80Q2

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFB50N80Q2
Descripción: MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-264-3, TO-264AA
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 8mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 160mOhm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 1135W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PLUS264™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 260nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7200pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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