IXFB170N30P
Fabricantes: | IXYS |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXFB170N30P |
Descripción: | MOSFET N-CH TO-264 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-264-3, TO-264AA |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.5V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 18mOhm @ 85A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1250W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PLUS264™ |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 258nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 300V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 20000pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 170A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 58 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$20.11 | $19.71 | $19.31 |
Mínimo: 1