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IXFA5N100P

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXFA5N100P
Descripción:	MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HiPerFET™, PolarP2™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id	6V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	250W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-263 (IXFA)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	33.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1830pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V