La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IXFA130N10T2

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFA130N10T2
Descripción: MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.1mOhm @ 65A, 10V
Disipación de energía (máx.) 360W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263 (IXFA)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 130nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.04 $2.98 $2.92
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXTA160N10T
IXYS
$3.04
NTMFS4C020NT1G
ON Semiconductor
$3.03
IXTQ42N25P
IXYS
$3.02
IXTQ110N055P
IXYS
$3.02
IPB65R110CFDATMA2
Infineon Technologies
$3.01