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IXFT6N100F

Fabricantes:	IXYS-RF
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXFT6N100F
Descripción:	MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	IXYS-RF
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HiPerRF™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) - Id	5.5V @ 2.5mA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.9Ohm @ 3A, 10V
Disipación de energía (máx.)	180W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-268 (IXFT)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	54nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1770pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V