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IXFT12N100F

Fabricantes: IXYS-RF
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFT12N100F
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS-RF
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerRF™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 4mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-268 (IXFT)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 77nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2700pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 41 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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