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IXDI602SI
| Fabricantes: | IXYS Integrated Circuits Division |
|---|---|
| Categoría de producto: | PMIC - Gate Drivers |
| Ficha técnica: | IXDI602SI |
| Descripción: | 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Integrated Circuits Division |
| Categoría de producto | PMIC - Gate Drivers |
| Serie | - |
| Tipo de puerta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Empaquetado | Tube |
| Tipo de entrada | Inverting |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de canal | Independent |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Voltaje - Suministro | 4.5V ~ 35V |
| Número de conductores | 2 |
| Configuración impulsada | Low-Side |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tiempo de subida/caída (típico) | 7.5ns, 6.5ns |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOIC-EP |
| Voltaje lógico - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Corriente - Salida máxima (Fuente, Sumidero) | 2A, 2A |
En stock 95 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.00 | $0.98 | $0.96 |
Mínimo: 1
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