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IS61NVP51236-200B3I

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: IS61NVP51236-200B3I
Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SRAM - Synchronous, SDR
Tiempo de acceso 3.1ns
Tamaño de la memoria 18Mb (512K x 36)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria SRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 165-LFBGA
Frecuencia del reloj 200MHz
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.375V ~ 2.625V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 165-TFBGA (13x15)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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