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71V416S10YG
| Fabricantes: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
|---|---|
| Categoría de producto: | Memory |
| Ficha técnica: | 71V416S10YG |
| Descripción: | IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Categoría de producto | Memory |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tecnología | SRAM - Asynchronous |
| Tiempo de acceso | 10ns |
| Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Estado de la pieza | Active |
| Formato de memoria | SRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Número de pieza base | IDT71V416 |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Voltaje - Suministro | 3V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 44-SOJ |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
En stock 90 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.36 | $3.29 | $3.23 |
Mínimo: 1
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