La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
70T3339S200BCG
| Fabricantes: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
|---|---|
| Categoría de producto: | Memory |
| Ficha técnica: | 70T3339S200BCG |
| Descripción: | IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Categoría de producto | Memory |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tray |
| Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Tiempo de acceso | 3.4ns |
| Tamaño de la memoria | 9Mb (512K x 18) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Estado de la pieza | Active |
| Formato de memoria | SRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 256-LBGA |
| Frecuencia del reloj | 200MHz |
| Número de pieza base | IDT70T3339 |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Voltaje - Suministro | 2.4V ~ 2.6V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 256-CABGA (17x17) |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
En stock 61 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $154.66 | $151.57 | $148.54 |
Mínimo: 1
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