HTNFET-D
Fabricantes: | Honeywell Aerospace |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | HTNFET-D |
Descripción: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Honeywell Aerospace |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HTMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Bulk |
Vgs (máx.) | 10V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | 8-CDIP Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.4V @ 100µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
Disipación de energía (máx.) | 50W (Tj) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-CDIP-EP |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 4.3nC @ 5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 55V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 290pF @ 28V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | - |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
En stock 98 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$391.50 | $383.67 | $376.00 |
Mínimo: 1