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HTNFET-D

Fabricantes: Honeywell Aerospace
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: HTNFET-D
Descripción: MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Honeywell Aerospace
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HTMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 8-CDIP Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 2.4V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 225°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V
Disipación de energía (máx.) 50W (Tj)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-CDIP-EP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4.3nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 290pF @ 28V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC -
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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