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GSID200A170S3B1

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: GSID200A170S3B1
Descripción: SILICON IGBT MODULES
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie Amp+™
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1630W
Configuración 2 Independent
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC No
Paquete / Caso D-3 Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores D3
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 400A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 26nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 57 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$141.47 $138.64 $135.87
Mínimo: 1

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