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GSID100A120T2C1

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: GSID100A120T2C1
Descripción: SILICON IGBT MODULES
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Three Phase Bridge Rectifier
Serie Amp+™
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 640W
Configuración Three Phase Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 200A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 13.7nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$122.66 $120.21 $117.80
Mínimo: 1

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