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GPA030A135MN-FDR

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: GPA030A135MN-FDR
Descripción: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 300nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 329W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3
Condición de la prueba 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Cambio de energía 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 30ns/145ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3PN
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 450ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 60A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 90A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1350V

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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