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GP2M011A090NG

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GP2M011A090NG
Descripción: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 900mOhm @ 5.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 416W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3PN
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 84nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 900V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3240pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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