GP2M009A090NG
Fabricantes: | Global Power Technologies Group |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | GP2M009A090NG |
Descripción: | MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Global Power Technologies Group |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 312W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-3PN |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 72nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 900V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2740pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 75 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1