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GP2M002A065PG

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GP2M002A065PG
Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.6Ohm @ 900mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 52W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 353pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 78 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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