GP2M002A065PG
Fabricantes: | Global Power Technologies Group |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | GP2M002A065PG |
Descripción: | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Global Power Technologies Group |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 4.6Ohm @ 900mA, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 52W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | I-PAK |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 8.5nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 353pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.8A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 78 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1