Image is for reference only , details as Specifications

GP1M005A050FSH

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GP1M005A050FSH
Descripción: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.85Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 32W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220F
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 602pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

GP1M003A090PH
Global Power Technologies Group
$0
GP1M003A080CH
Global Power Technologies Group
$0
GP1M003A050FG
Global Power Technologies Group
$0
PSMN1R6-40YLC:115
Nexperia USA Inc.
$0
FQB9P25TM
ON Semiconductor
$0