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GP1M003A090C

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GP1M003A090C
Descripción: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 94W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-Pak
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 17nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 900V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 748pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 62 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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