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GD5F2GQ4UEYIGR

Fabricantes: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: GD5F2GQ4UEYIGR
Descripción: SPI NAND FLASH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Tipo de memoria Non-Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria FLASH
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-WDFN Exposed Pad
Frecuencia del reloj 120MHz
Interfaz de memoria SPI - Quad I/O
Voltaje - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-WSON (6x8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 700µs

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.43 $3.36 $3.29
Mínimo: 1

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