La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
MURTA600120R
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Ficha técnica: | MURTA600120R |
| Descripción: | DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Tipo de diodo | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | Three Tower |
| Configuración de diodos | 1 Pair Common Anode |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Three Tower |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 25µA @ 1200V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 1200V |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 2.6V @ 300A |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) | 300A |
En stock 69 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $139.17 | $136.39 | $133.66 |
Mínimo: 1
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