MURTA500120
Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
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Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Ficha técnica: | MURTA500120 |
Descripción: | DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Empaquetado | Bulk |
Tipo de diodo | Standard |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caso | Three Tower |
Configuración de diodos | 1 Pair Common Cathode |
Paquete de dispositivos de proveedores | Three Tower |
Corriente - Fuga inversa - Vr | 25µA @ 1200V |
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 1200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 2.6V @ 250A |
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) | 250A |
En stock 85 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$130.60 | $127.99 | $125.43 |
Mínimo: 1