Image is for reference only , details as Specifications

MBR600200CTR

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Arrays
Ficha técnica: MBR600200CTR
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Arrays
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Bulk
Tipo de diodo Schottky
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso Twin Tower
Configuración de diodos 1 Pair Common Anode
Paquete de dispositivos de proveedores Twin Tower
Corriente - Fuga inversa - Vr 3mA @ 200V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 200V
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 920mV @ 300A
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) 300A

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$127.94 $125.38 $122.87
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

ND411626
Powerex, Inc.
$127.88
DZ800S17K3HOSA1
Infineon Technologies
$127.07
MDD255-20N1
IXYS
$127.05
ND411426
Powerex, Inc.
$126.78
F18107RD1600
Sensata-Crydom
$126.62