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MBR200200CTR

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Arrays
Ficha técnica: MBR200200CTR
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Arrays
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Bulk
Tipo de diodo Schottky
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso Twin Tower
Configuración de diodos 1 Pair Common Anode
Paquete de dispositivos de proveedores Twin Tower
Corriente - Fuga inversa - Vr 3mA @ 200V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 200V
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 920mV @ 100A
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo) 100A

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$70.91 $69.49 $68.10
Mínimo: 1

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