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GB01SLT12-252
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | GB01SLT12-252 |
| Descripción: | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Número de pieza base | GB01SLT12 |
| Capacitancia : Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-252 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 2µA @ 1200V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 1200V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 1A |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.8V @ 1A |
En stock 357 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.90 | $2.84 | $2.79 |
Mínimo: 1
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