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GA20JT12-263

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GA20JT12-263
Descripción: TRANS SJT 1200V 45A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET -
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 20A
Disipación de energía (máx.) 282W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK (7-Lead)
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3091pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

En stock 171 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$35.36 $34.65 $33.96
Mínimo: 1

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