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GA10JT12-263
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | GA10JT12-263 |
| Descripción: | TRANS SJT 1200V 25A |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | - |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | - |
| Vgs(th) (Max) - Id | - |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
| Disipación de energía (máx.) | 170W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | - |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1403pF @ 800V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 25A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
En stock 721 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $19.24 | $18.86 | $18.48 |
Mínimo: 1
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