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GA100JT17-227

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: GA100JT17-227
Descripción: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET -
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10mOhm @ 100A
Disipación de energía (máx.) 535W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-227
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 14400pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 160A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

En stock 67 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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