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2N7637-GA

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: 2N7637-GA
Descripción: TRANS SJT 650V 7A TO-257
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET -
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-257-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 225°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 170mOhm @ 7A
Disipación de energía (máx.) 80W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-257
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 720pF @ 35V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Tc) (165°C)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

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