La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
2N7635-GA
| Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | 2N7635-GA |
| Descripción: | TRANS SJT 650V 4A TO-257 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Vgs (máx.) | - |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-257-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 415mOhm @ 4A |
| Disipación de energía (máx.) | 47W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-257 |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 324pF @ 35V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Tc) (165°C) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
En stock 94 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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