La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
EPC8002
| Fabricantes: | EPC |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | EPC8002 |
| Descripción: | GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | +6V, -4V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | Die |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 530mOhm @ 500mA, 5V |
| Disipación de energía (máx.) | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Die |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 65V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 21pF @ 32.5V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
En stock 55749 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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