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EPC2107

Fabricantes: EPC
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: EPC2107
Descripción: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante EPC
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie eGaN®
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 9-VFBGA
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Paquete de dispositivos de proveedores 9-BGA (1.35x1.35)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.7A, 500mA

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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