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EPC2105ENG

Fabricantes: EPC
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: EPC2105ENG
Descripción: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante EPC
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie eGaN®
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Bulk
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso Die
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 2.5mA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V
Paquete de dispositivos de proveedores Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 2.5nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 300pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.5A, 38A

En stock 78 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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