EPC2105ENG
Fabricantes: | EPC |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | EPC2105ENG |
Descripción: | GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | EPC |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | eGaN® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Empaquetado | Bulk |
Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Potencia - Máx. | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | Die |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 2.5mA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | Die |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 2.5nC @ 5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 80V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 300pF @ 40V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9.5A, 38A |
En stock 78 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1