Image is for reference only , details as Specifications

EPC2103ENGRT

Fabricantes: EPC
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: EPC2103ENGRT
Descripción: GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante EPC
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie eGaN®
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso Die
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 5V
Paquete de dispositivos de proveedores Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.5nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7600pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 23A

En stock 5256 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

ALD110908ASAL
Advanced Linear Devices, Inc.
$4.76
ALD1117PAL
Advanced Linear Devices, Inc.
$3.84
ALD111933SAL
Advanced Linear Devices, Inc.
$3.6
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices, Inc.
$3.55
FDPC4044
ON Semiconductor
$0