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EPC2100ENGRT

Fabricantes:	EPC
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	EPC2100ENGRT
Descripción:	GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	EPC
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	eGaN®
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado	Digi-Reel®
Característica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	Die
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Paquete de dispositivos de proveedores	Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	10A (Ta), 40A (Ta)