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EPC2029

Fabricantes: EPC
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: EPC2029
Descripción: GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante EPC
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie eGaN®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) +6V, -4V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso Die
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 12mA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 5V
Disipación de energía (máx.) -
Paquete de dispositivos de proveedores Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1410pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 48A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V

En stock 4155 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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