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EPC2012C

Fabricantes:	EPC
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	EPC2012C
Descripción:	GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	EPC
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	eGaN®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	Die
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Disipación de energía (máx.)	-
Paquete de dispositivos de proveedores	Die Outline (4-Solder Bar)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	1.3nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	140pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	5V