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EPC2012

Fabricantes:	EPC
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	EPC2012
Descripción:	GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	EPC
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	eGaN®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	+6V, -5V
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	Die
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Disipación de energía (máx.)	-
Paquete de dispositivos de proveedores	Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	1.8nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	145pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	5V