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ZXMN6A09DN8TC

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: ZXMN6A09DN8TC
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.25W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 24.2nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1407pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.3A

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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