Image is for reference only , details as Specifications

ZXMN6A09DN8TA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: ZXMN6A09DN8TA
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.25W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 24.2nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1407pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.3A

En stock 2118 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI4904DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI4904DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SH8J66TB1
ROHM Semiconductor
$0
FDMS3626S
ON Semiconductor
$0